半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-259218
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076304
出願日： 2000年08月29日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】コンタクトプラグを兼ねる蓄積電極を有する半導体装置において、位置合わせずれによるコンタクト面積の減少を抑制し、且つ、下地構造の破壊をもたらすことのない半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、絶縁膜36,46と、絶縁膜48と、絶縁膜50とを形成し、絶縁膜50の第1の領域を選択的にエッチングして第1の領域に絶縁膜48に達しない溝56を形成し、絶縁膜50の第1の領域及び第2の領域を選択的にエッチングして第1の領域のみに絶縁膜48を露出し、第1の領域の絶縁膜48を選択的にエッチングして第1の領域に絶縁膜46を露出し、絶縁膜48をストッパとして第1の領域の絶縁膜46,36及び第2の領域の絶縁膜50を選択的にエッチングして基板に達するコンタクトホールを有する開口部58を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、第1の領域にコンタクトホールが形成された第1の絶縁膜と、前記第1の領域に隣接する第2の領域の前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第1の絶縁膜とエッチング特性が異なる第2の絶縁膜と、前記コンタクトホール内及び前記第2の領域の前記第2の絶縁膜上に形成され、前記基板に電気的に接続された蓄積電極と、前記蓄積電極を覆う誘電体膜と、前記誘電体膜を覆うプレート電極とを有し、前記コンタクトホールの対向する一組の端部が、前記蓄積電極の端部とほぼ一致していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/105

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 444 B

Fターム (20件)：

5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083GA28 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083NA08 , 5F083PR06 , 5F083PR09 , 5F083PR37 , 5F083PR39 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-244150 出願人：株式会社日立製作所
半導体メモリ素子のキャパシタ製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-157286 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
円筒型スタック電極の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-081858 出願人：日本電気株式会社

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