pFET材料としての金属酸窒化物を用いた半導体構造およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：上野剛史 , 太佐種一 , 市位嘉宏 , 坂口博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-322537
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173796
出願日： 2006年11月29日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

【課題】高k誘電体を含むゲート・スタック上において熱に対して安定な新規の金属化合物であって、金属炭化物の場合に起こるような炭素拡散を引き起こさない金属化合物を提供すること。【解決手段】仕事関数が約4.75から約5.3、好ましくは約5eVであるp型金属であり、高k誘電体とインタフェース層とを含むゲート・スタック上で熱に対して安定なMOxNyを含む金属化合物、およびこのMOxNy金属化合物を製作する方法が提供される。さらに、本発明のMOxNy金属化合物は、1000°Cにおいて非常に効率的な酸素拡散障壁であり、p金属酸化物半導体(pMOS)デバイスにおいて、非常に攻撃的な等価酸化膜厚(EOT)および14Å未満の反転層厚を可能にする。上式で、Mは元素周期表のIVB、VB、VIBまたはVIIB族から選択された金属、xは約5から約40原子%、yは約5から約40原子%である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板上に位置するインタフェース層と、前記インタフェース層上に位置し、二酸化シリコンよりも大きな誘電率を有する高k誘電体と、前記高k誘電体上に位置するMOxNyゲート金属とを含み、 Mが元素周期表のIVB、VB、VIBまたはVIIB族から選択された金属、xが5から40原子%、yが5から40原子%である半導体構造。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (4件)：

H01L29/78 301G , H01L27/08 321D , H01L21/28 301R , H01L29/58 G

Fターム (111件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA06 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104BB36 , 4M104BB38 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD42 , 4M104DD65 , 4M104DD79 , 4M104DD84 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH04 , 5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BB04 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB13 , 5F048BC06 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG12 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F140AA00 , 5F140AA28 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA20 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE14 , 5F140BE16 , 5F140BF10 , 5F140BF14 , 5F140BF21 , 5F140BF28 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG18 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG39 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BH14 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ09 , 5F140BJ11 , 5F140BJ20 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK30 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CC08 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (4件)

U.S.Serial No.U.S.PatentApplication. No.11/034,597
U.S.Serial No.10/250,241(現在U.S.PublicationNo.20040256700A1)
U.S.Serial No.10/725,850

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審査官引用 (9件)

調節された仕事関数で電極を形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-404434 出願人：エイエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.
リモートスキャッタリングの削減による高パフォーマンスMOSトランジスタのゲート酸化方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-508392 出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
半導体装置およびMIS型電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-115709 出願人：株式会社東芝

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