ポジ型フォトレジスト組成物

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小栗昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-206901
公開番号（公開出願番号）：特開2002-023372
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造において、現像欠陥の発生が軽減できるポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】特定の繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型フォトレジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(I)で示される繰り返し構造単位、下記一般式(II-1)で示される繰り返し構造単位、および下記一般式(II-2)で示される繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】【化2】一般式(I)中、R11〜R14は、各々独立に水素原子又は置換基を有しても良いアルキル基を表す。aは0または1である。一般式(II-1)中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。Aは、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。Wは、下記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造のうち少なくとも1つを表す。【化3】式中、R15は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R16〜R20は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R16〜R18のうち少なくとも1つ、もしくはR19、R20のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R21〜R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R21〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23、R25のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。R26〜R29は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R26〜R29のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。一般式(II-2)中、R1は前記一般式(II-1)中のR1と同義である。R2〜R4は、各々独立に水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2〜R4のうち少なくとも1つは水酸基を表す。

IPC (11件)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/00 , C08K 5/16 , C08L 27/12 , C08L 33/06 , C08L 33/14 , C08L 45/00 , C08L 83/04 , H01L 21/027 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 504

FI (11件)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/00 , C08K 5/16 , C08L 27/12 , C08L 33/06 , C08L 33/14 , C08L 45/00 , C08L 83/04 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 504 , H01L 21/30 502 R

Fターム (45件)：

2H025AA00 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA17 , 4J002BD122 , 4J002BG041 , 4J002BG051 , 4J002BG071 , 4J002BH021 , 4J002CE001 , 4J002CP032 , 4J002EB006 , 4J002ED056 , 4J002EH126 , 4J002EN136 , 4J002EQ016 , 4J002ER027 , 4J002ES006 , 4J002EU027 , 4J002EU047 , 4J002EU077 , 4J002EU117 , 4J002EU127 , 4J002EU137 , 4J002EU147 , 4J002EU186 , 4J002EU226 , 4J002EU237 , 4J002EV216 , 4J002EV246 , 4J002EV296 , 4J002EW176 , 4J002EY006 , 4J002EZ006 , 4J002FD206 , 4J002FD312 , 4J002GP03

引用特許：

審査官引用 (10件)

化学増幅型ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-191559 出願人：住友化学工業株式会社
放射線感光材料及びそれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-282664 出願人：ダイセル化学工業株式会社
化学増幅型ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-238542 出願人：住友化学工業株式会社

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