記憶素子の作製方法、レーザ照射装置及びレーザ照射方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-022607
公開番号（公開出願番号）：特開2007-235117
出願日： 2007年02月01日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【課題】レーザ照射パターンを切り替えながら、所望の位置に高速にレーザ照射を行う方法を提案する。【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを偏向器に入射し、前記偏向器を通過したレーザビームを回折光学素子に入射して複数に分岐させる。そして、前記複数に分岐されたレーザビームを絶縁膜上に形成されたフォトレジストに照射し、前記レーザビームが照射されたフォトレジストを現像して前記絶縁膜を選択的にエッチングする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板上にソース電極又はドレイン電極を有する複数の島状半導体層を形成し、前記複数の島状半導体層上に第1の層間絶縁膜を形成し、前記第1の層間絶縁膜を介して前記複数の島状半導体層上に、それぞれゲート電極を形成し、前記ゲート電極上に第2の層間絶縁膜を形成し、前記第2の層間絶縁膜上にレジストを設け、前記レジストに、偏向器及び回折光学素子を通過して複数に分岐したレーザビームを照射し、前記レーザビームが照射された前記レジストを現像し、前記第1の層間絶縁膜及び前記第2の層間絶縁膜を、前記レジストをマスクとしてエッチングし、選択的にコンタクトホールを形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。

IPC (9件)：

H01L 21/28 , H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/20 , H01L 27/10 , H01L 21/768 , H01L 21/027 , H01L 29/786 , B23K 26/067

FI (10件)：

H01L21/28 D , H01L27/12 B , H01L21/20 , H01L27/10 461 , H01L21/28 L , H01L21/90 C , H01L21/30 529 , H01L21/30 515D , H01L29/78 617K , B23K26/067

Fターム (191件)：

4E068CA13 , 4E068CB08 , 4E068CD02 , 4E068CD03 , 4E068DA10 , 4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB32 , 4M104CC01 , 4M104DD16 , 4M104DD18 , 4M104DD19 , 4M104DD20 , 4M104DD37 , 4M104DD62 , 4M104GG16 , 4M104GG20 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ09 , 5F033JJ18 , 5F033JJ33 , 5F033KK04 , 5F033MM08 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ01 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033VV06 , 5F033VV08 , 5F033VV15 , 5F033VV16 , 5F046BA07 , 5F046CA03 , 5F046CB01 , 5F083CR03 , 5F083HA02 , 5F083HA10 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083NA08 , 5F083PR03 , 5F083PR18 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F083PR39 , 5F083ZA12 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC04 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ28 , 5F152AA03 , 5F152AA06 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC04 , 5F152CC06 , 5F152CD03 , 5F152CD09 , 5F152CD10 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CE05 , 5F152CE06 , 5F152CE13 , 5F152CE14 , 5F152CE16 , 5F152CE24 , 5F152CF18 , 5F152DD07 , 5F152FF07 , 5F152FF21 , 5F152FF28 , 5F152FF30 , 5F152FF36 , 5F152FF47 , 5F152FG01 , 5F152FG05 , 5F152FG18 , 5F152FG22 , 5F152FH01 , 5F152LP01 , 5F152LP07 , 5F152LP08 , 5F152LP09 , 5F152MM04 , 5F152NN14 , 5F152NN20 , 5F152NP17 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04 , 5F152NQ12

引用特許：

出願人引用 (1件)

レーザー加工用回折光学素子、レーザー加工装置及びレーザー加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-027670 出願人：太陽誘電株式会社

審査官引用 (10件)

半導体膜の製造方法、半導体装置の製造方法、集積回路、回路基板、電気光学装置、電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-149858 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置の製造方法、ICカード、ICタグ、RFID、トランスポンダ、紙幣、有価証券、パスポート、電子機器、バッグ及び衣類
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-042787 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
基体処理デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-073783 出願人：カールバーゼルレーザーテクニークゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

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