特許
J-GLOBAL ID：200903080699710686

窒化物半導体装置およびその製造方法

発明者：
金本 恭三

金本 恭三 について

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塩沢 勝臣

塩沢 勝臣 について

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川崎 和重

川崎 和重 について

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佐久間 仁

佐久間 仁 について

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末廣 善幸

末廣 善幸 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-093399
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273492
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】低抵抗なオーミック特性および高い密着性を実現できる窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体装置は、半導体素子が形成されるn型GaN基板1と、当該GaN基板1の裏面に形成された金属電極であるn電極10とを備える。GaN基板1とn電極10との間には、キャリア供給層として機能する表面変性層20が設けられる。この表面変性層20は、GaN基板1の裏面をシリコンを含む材料と反応させ変性させることにより形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板と、 前記窒化物半導体基板の第1の主表面側に配設された窒化物半導体素子の層構造と、 前記窒化物半導体基板の第2の主表面側に配設された金属電極と、 前記窒化物半導体基板・前記金属電極間に配設され前記窒化物半導体基板の第2の主表面をSiを含む第一材料と反応させ変性させることにより形成された、Siを含む表面変性層と を備えることを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (1件)：
H01S 5/042
FI (1件)：
H01S5/042 612
Fターム (5件)：
5F173AK08 ,  5F173AK13 ,  5F173AK15 ,  5F173AQ06 ,  5F173AR63
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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