特許
J-GLOBAL ID：200903093678675770
窒化物半導体素子及び窒化物半導体基板の製造方法、並びに窒化物半導体素子の製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
豊栖 康弘
, 石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-040771
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268769
出願日： 2005年02月17日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 窒化物半導体基板と良好なオーミック接触する基板電極を備えた窒化物半導体素子、及びアロイさせることなく窒化物半導体基板とオーミック接触させることができる耐熱性に優れた非アロイ電極を備えた信頼性の高い窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 少なくとも一方の主面に電極が形成された基板を含んでなる窒化物半導体素子であって、基板が窒化物半導体基板であり、基板の表面は電極が形成された第一領域と電極が形成されていない第二領域とを有し、第一領域における基板表面近傍は、第二領域の表面近傍より高い濃度で第1のn型不純物を有する。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
少なくとも一方の主面に電極が形成された基板を含んでなる窒化物半導体素子であって、
前記基板が窒化物半導体基板であり、
前記基板の表面は電極が形成された第一領域と電極が形成されていない第二領域とを有し、
前記第一領域における基板表面近傍は、第二領域の表面近傍より高い濃度で第1のn型不純物を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/042 612
, H01L33/00 C
5F041AA24
, 5F041CA74
, 5F041CA83
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA99
, 5F173AA08
, 5F173AH22
, 5F173AK08
, 5F173AP05
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AP52
, 5F173AP60
, 5F173AP64
, 5F173AP71
, 5F173AR63
, 5F173AR75
出願人引用 (2件)
審査官引用 (9件)
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