特許
J-GLOBAL ID：200903082329576088

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
牧野 豊

牧野 豊 について

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江上 俊治

江上 俊治 について

, 
渡辺 英二

渡辺 英二 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-189280
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015539
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 侵食性を有するハンダ成分に対して有効な金属被膜を電極上に設けた半導体装置及びその製造方法を提供する【解決手段】 電極上に形成した金属被膜と、この金属被膜を除いた領域に形成した保護膜とを備えており、金属被膜は保護膜と接する端部に盛り上がりを有している半導体装置である。また、上記半導体装置は、電極を中心原子となる金属を含む化合物及びグリシンを含むキレート溶液で活性化処理し、無電解の金属メッキ処理を行って金属被膜を形成する工程により製造される。
請求項（抜粋）：
電極と、該電極上に形成した金属被膜と、該金属被膜を除いた領域に形成した保護膜と、上記金属被膜上に接合用のバンプとを備え、上記金属被膜は上記保護膜と接する端部に盛り上がりを有している、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205
FI (3件)：
H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/288 N ,  H01L 21/88 T
Fターム (19件)：
4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104DD07 ,  4M104DD22 ,  4M104DD53 ,  4M104FF06 ,  4M104FF17 ,  4M104FF21 ,  4M104HH08 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033MM17 ,  5F033PP28 ,  5F033VV07 ,  5F033XX18
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (13件)
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