特許
J-GLOBAL ID：200903085482068910

半導体装置及びその製造方法

発明者：
田中 正幸

田中 正幸 について

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西田 大介

西田 大介 について

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藤塚 良太

藤塚 良太 について

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関根 克行

関根 克行 について

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山本 明人

山本 明人 について

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小澤 良夫

小澤 良夫 について

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名取 克晃

名取 克晃 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-037153
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305966
出願日： 2007年02月16日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：
【課題】 制御電極と電荷蓄積層との間の絶縁膜を改善することにより、優れた半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板11と、半導体基板上に形成された第1の絶縁膜12と、第1の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層13と、電荷蓄積層上に形成された第2の絶縁膜20と、第2の絶縁膜上に形成された制御電極21とを備えた半導体装置であって、第2の絶縁膜は、下層シリコン窒化膜204と、下層シリコン窒化膜上に形成された下層シリコン酸化膜201と、下層シリコン酸化膜上に形成され且つ金属元素を含有した7よりも高い比誘電率を有する中間絶縁膜202と、中間絶縁膜上に形成された上層シリコン酸化膜203と、上層シリコン酸化膜上に形成された上層シリコン窒化膜205とを含む。【選択図】 図15
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、 前記電荷蓄積層上に形成された第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜上に形成された制御電極と、 を備えた半導体装置であって、 前記第2の絶縁膜は、下層シリコン窒化膜と、前記下層シリコン窒化膜上に形成された下層シリコン酸化膜と、前記下層シリコン酸化膜上に形成され且つ金属元素を含有した7よりも高い比誘電率を有する中間絶縁膜と、前記中間絶縁膜上に形成された上層シリコン酸化膜と、前記上層シリコン酸化膜上に形成された上層シリコン窒化膜と、を含む ことを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/283 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
FI (9件)：
H01L29/78 371 ,  H01L21/28 301A ,  H01L29/58 G ,  H01L21/283 B ,  H01L27/10 434 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 M ,  H01L21/318 A ,  H01L21/318 M
Fターム (65件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE08 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104GG16 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD09 ,  5F058BF02 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF64 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F083EP02 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP27 ,  5F083EP53 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083GA06 ,  5F083GA22 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR15 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F101BA01 ,  5F101BA07 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BA42 ,  5F101BA45 ,  5F101BB05 ,  5F101BB17 ,  5F101BD02 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BF09 ,  5F101BH02 ,  5F101BH06 ,  5F101BH09 ,  5F101BH16
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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