特許
J-GLOBAL ID：200903083906174128
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-101930
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281005
出願日： 2006年04月03日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】SiC表面に形成される酸化膜の厚さムラを抑制できるSiC半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】レジスト23を炭化させることで形成したカーボン層、つまり下地となるSiCとの密着性が良好な材料をマスクとして、不純物の活性化処理を行う。これにより、カーボン層で確実に下地を覆った状態で不純物の活性化のための熱処理を行うことが可能となる。したがって、SiC表面からのSi抜けを防止することが可能となり、カーボンリッチ層が形成されることを防止することができる。これにより、カーボンリッチ層を除去するための犠牲酸化膜形成工程や犠牲酸化膜除去工程を行わなくても良くなるため、犠牲酸化膜形成工程や犠牲酸化膜除去工程を経ることによる「くびれ」が形成されることを防止でき、ゲート酸化膜7の膜厚ムラを抑制することが可能となり、ゲート酸化膜信頼性の低下、引いてはデバイス特性の悪化を防止できる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体(2、5)に不純物のイオン注入を行ったのち、前記不純物を活性化させるための熱処理を施すことによって前記注入された不純物を活性化させることで不純物層(3、4)を形成する不純物層形成工程と、
前記不純物層(3、4)を含む前記炭化珪素半導体(2、5)の表面に酸化膜(7)を形成する工程と、を含んだ炭化珪素半導体装置の製造方法において、
前記不純物形成工程は、
前記不純物層(3、4)を含む前記炭化珪素半導体(2、5)の表面に有機系溶剤で構成されるレジスト(23)を塗布したのち、前記レジスト(23)を炭化させるための熱処理を行うことにより、前記レジスト(23)に含まれる有機物を蒸発させることで前記レジスト(23)を炭化させ、カーボン層を形成する工程と、
前記カーボン層にて前記不純物層(3、4)を含む前記炭化珪素半導体(2、5)の表面を覆った状態で、前記不純物を活性化させるための熱処理を行う工程と、
前記カーボン層を除去する工程と、を含み、
前記酸化膜(7)を形成する工程は、前記カーボン層を除去する工程を行った後で行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L29/78 652T
, H01L29/78 658A
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (8件)
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