特許
J-GLOBAL ID：200903084878581347

歪Si-SOI基板の製造方法および該方法により製造された歪Si-SOI基板

発明者：
二宮 正晴

二宮 正晴 について

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松本 光二

松本 光二 について

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中前 正彦

中前 正彦 について

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宮尾 正信

宮尾 正信 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について

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国立大学法人九州大学

国立大学法人九州大学 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  青山 正和 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-090084
公開番号（公開出願番号）：特開2006-270000
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】 表面が平坦で欠陥が少ない歪Si-SOI基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Si層13と埋め込み酸化膜12とを有するSOI基板10に、SiGe混晶層14を成長する工程と、SiGe混晶層14の表面に保護膜15,16を形成する工程と、Si層13と埋め込み酸化膜12界面近傍に軽元素をイオン注入する工程と、400〜1000°Cでの熱処理を行う第1熱処理工程と、1050°C以上で酸化雰囲気の熱処理を行う第2熱処理工程と、1050°C以上で不活性雰囲気の熱処理をおこなう第3熱処理工程と、表面のSi酸化膜18を除去する工程と、歪Si層19を形成する工程と、を有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
5nm以上の厚さを有するSi層と埋め込み酸化膜とを有するSOI基板に、SiGe混晶層を成長する工程と、 前記SiGe混晶層の表面に保護膜を形成する工程と、 前記Si層と前記埋め込み酸化膜界面近傍に軽元素をイオン注入する工程と、 400〜1000°Cで不活性雰囲気の熱処理を行う第1熱処理工程と、 1050°C以上で塩素を含む酸化雰囲気の熱処理を行う第2熱処理工程と、 表面のSi酸化膜を除去する工程と、 歪Si層を形成する工程と、 を有することを特徴とする歪Si-SOI基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/786
FI (6件)：
H01L21/20 ,  H01L27/12 B ,  H01L27/12 E ,  H01L21/265 W ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E
Fターム (32件)：
5F110AA30 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110QQ17 ,  5F152LL03 ,  5F152LL09 ,  5F152LM03 ,  5F152LM09 ,  5F152LN02 ,  5F152LN03 ,  5F152LN04 ,  5F152LN08 ,  5F152LN11 ,  5F152LN21 ,  5F152LN29 ,  5F152LN33 ,  5F152MM04 ,  5F152MM19 ,  5F152NN03 ,  5F152NN15 ,  5F152NN29 ,  5F152NP04 ,  5F152NP13 ,  5F152NQ03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (9件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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