特許
J-GLOBAL ID:200903084920747110

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-213975
公開番号(公開出願番号):特開2003-031736
出願日: 2001年07月13日
公開日(公表日): 2003年01月31日
要約:
【要約】【課題】 高放熱形の半導体装置の信頼性の向上を図る。【解決手段】 複数のボンディングパッドが形成された半導体チップ2と、複数のインナリード8aと、前記ボンディングパッドとインナリード8aとを接続する複数のボンディングワイヤ4と、半導体チップ2を支持するチップ支持面5aと外部に露出する裏面5bとを有するヒートスプレッダ5と、半導体チップ2とヒートスプレッダ5とを接合するチップ接合材9と、半導体チップ2を封止用樹脂によって封止する樹脂体3と、樹脂体3から外部に突出する複数のアウタリード8bとからなり、ヒートスプレッダ5のチップ支持面5aのチップ周囲にチップ支持面5aより上側に突出する突出部5cが設けられたことにより、チップ接合材9の端部にかかる熱ストレスを緩和してQFP1の信頼性の向上を図る。
請求項(抜粋):
主面とその反対側の裏面とを有し、前記主面に半導体素子および複数のボンディングパッドが形成された半導体チップと、前記半導体チップの周囲に配置された複数のインナリードと、前記複数のボンディングパッドと前記複数のインナリードとをそれぞれ電気的に接続する複数の接続部材と、前記半導体チップを支持するチップ支持面と、この面の反対側に配置されて外部に露出する裏面とを有するチップ搭載部と、前記チップ支持面と前記半導体チップの裏面との間に配置され、前記半導体チップと前記チップ搭載部とを接合するチップ接合材と、前記半導体チップ、前記複数のインナリードおよび前記複数の接続部材を封止し、前記半導体チップの側部に配置されるチップ側部封止部を有する樹脂体と、前記複数のインナリードとそれぞれに一体に形成され、前記樹脂体から外部に突出する複数のアウタリードとを有し、前記チップ搭載部のチップ支持面のチップ周囲に前記チップ支持面より突出する突出部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/29 ,  H01L 23/28
FI (2件):
H01L 23/28 B ,  H01L 23/36 A
Fターム (11件):
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DB03 ,  4M109DB16 ,  5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BA23 ,  5F036BB08 ,  5F036BC05 ,  5F036BE01
引用特許:
審査官引用 (11件)
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