特許
J-GLOBAL ID：200903085783353912
光半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-341668
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179274
出願日： 2002年11月26日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】InGaAlAsを活性層とするDFBレーザにおいて素子抵抗が高いため特に高温におけるレーザ特性の劣化が課題である。【解決手段】n型InP基板101に形成されたInGaAlAs-MQW層104上に、p型InGaAlAs-GRIN-SCH層105、p型InAlAs電子ストップ層106、p型回折格子層107を順次積層し、回折格子形成後に、p型InPクラッド108、p型InGaAsコンタクト層を順次再成長し、リッジ型レーザを作製する。107の回折格子の凹凸の深さは107の厚さより小さくする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
InP基板上にInGaAlAsからなる多重量子井戸活性層を含む複数の積層された層を有し、InAlAs電子ストッパ層上に、回折格子を有するInGaAsP層、InPクラッド層が順に積層され、当該回折格子を有するInGaAsP層の回折格子の凹部の深さがInGaAsP層の厚さより小さいことを特徴とする光半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F073AA13
, 5F073AA46
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AA77
, 5F073BA02
, 5F073CA12
, 5F073CA15
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073EA14
, 5F073EA29
