特許
J-GLOBAL ID：200903086028644075
磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-249360
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067064
出願日： 2005年08月30日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】スイッチング磁場の低減と誤書き込みの防止を図る。【解決手段】本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、互いに交差する第1及び第2書き込み線WLi,BLjと、第1及び第2書き込み線WLi,BLjの交差部に配置される磁気抵抗効果素子MTJと、磁気抵抗効果素子MTJの第1象限と第3象限を用いてデータ書き込みを実行するためのドライバ/シンカー1,2,3,4とを備え、磁気抵抗効果素子MTJは、第1象限と第3象限が第2象限と第4象限よりも窪んだ非対称のアストロイド特性を有する。【選択図】図13
請求項（抜粋）：
互いに交差部に対応して配置される第1及び第2書き込み線と、前記第1及び第2書き込み線の交差部に配置される磁気抵抗効果素子と、前記第1及び第2書き込み線に流れる電流をそれぞれx軸及びy軸に取った平面上で前記磁気抵抗効果素子の磁化反転閾値曲線を描いた場合に前記磁化反転閾値曲線の第1及び第3象限を用いてデータ書き込みを実行するためのドライバ/シンカーとを具備し、前記磁化反転閾値曲線は、前記第1及び第3象限が第2及び第4象限よりも窪んでいることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (3件)：
H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 43/08
H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA60
, 5F083LA03
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083LA12
, 5F083LA16
出願人引用 (10件)
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磁気RAMセル内の内部非対称
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-026344
出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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米国特許第6,005,800号
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磁気メモリ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-361340
出願人：株式会社東芝
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審査官引用 (8件)
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