特許

J-GLOBAL ID：200903086513216707

エピタキシャル基板、半導体積層構造、およびエピタキシャル基板の製造方法

発明者： 平松 和政 ,  三宅 秀人 ,  石賀 章 ,  柴田 智彦 ,  角谷 茂明
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人三重大学
代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-170080
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353680
出願日： 2004年06月08日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】Alリッチであってかつ低転位であるIII族窒化物を有するエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】基材1上に、最上面がランダムな凹凸構造、例えば多数の微小斜面が連結した実質的に非周期的な凹凸構造を有してなる下地層2をAlリッチな第1のIII族窒化物にてエピタキシャル形成する。凹凸は、下地層2の平均膜厚に対する最上面における平均粗さの比が、1/200以上の範囲にあるように形成する。下地層2の上に、上部層3をAlリッチな第2のIII族窒化物にてエピタキシャル形成する。その際、下地層2との界面4の近傍、つまりは下地層2によって形成される凹部近傍が、最表面付近よりもAlリッチであるように傾斜組成を与える。これにより、Alリッチであって、1×109/cm2以下という低転位密度の上部層3を有するエピタキシャル基板1を得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

所定の基材と、 前記基材の上に形成され、第1のIII族窒化物からなる下地層と、 前記下地層の上に形成され、第2のIII族窒化物からなる上部層と、 を備えるエピタキシャル基板であって、 前記第1のIII族窒化物における全III族元素に対するAlのモル分率が前記第2のIII族窒化物における全III族元素に対するAlのモル分率よりも大きく、かつ50原子%以上であり、 前記下地層の平均膜厚が2μm以上であり、 前記下地層の上面が実質的に非周期的な凹凸構造を有してなり、 前記上部層の転位密度が1×109/cm2以下である、 ことを特徴とするエピタキシャル基板。

IPC (1件)：

H01L21/205

FI (1件)：

H01L21/205

Fターム (14件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045BB13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA57 ,  5F045DA67 ,  5F045EE12

引用特許：

出願人引用 (4件)

• ELO用III族窒化物半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-178044   出願人：日本碍子株式会社
• III族窒化物膜の製造方法、III族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-314662   出願人：日本碍子株式会社
• III族窒化物系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-041222   出願人：豊田合成株式会社
• III族窒化物膜、エピタキシャル基板、及び多層膜構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-259723   出願人：日本碍子株式会社

審査官引用 (3件)

• III族窒化物膜、エピタキシャル基板、及び多層膜構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-259723   出願人：日本碍子株式会社
• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-189391   出願人：豊田合成株式会社
• III族窒化物膜の製造方法、III族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-314662   出願人：日本碍子株式会社