特許
J-GLOBAL ID：200903087101967445
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-378625
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214233
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】QFN(Quad Flat Non-leaded package)の製造歩留まりを向上させ、多ピン化を推進する。【解決手段】半導体チップ2を封止する樹脂封止体3を成形した後、樹脂封止体3の外縁に沿ったライン(モールドライン)よりも内側(樹脂封止体3の中心側)に位置するカットラインCに沿って樹脂封止体3の周辺部およびリードフレームLF1を共に切断することにより、樹脂封止体3の側面(切断面)に露出するリード5の全周(上面、下面および両側面)が樹脂によって覆われた状態になるので、リード5の切断面に金属バリが発生しない。【選択図】 図27
請求項（抜粋）：
半導体チップと、前記半導体チップの周囲に配置された複数のリードと、前記複数のリードのそれぞれに接続された端子と、前記半導体チップと前記複数のリードを電気的に接続する複数のワイヤと、前記半導体チップ、前記複数のリードおよび前記複数のワイヤを封止する樹脂封止体とを有し、前記複数のリードのそれぞれに接続された前記端子が前記樹脂封止体の裏面から外部に露出した半導体装置であって、
前記複数のリードのそれぞれの一端部は、前記樹脂封止体の側面から外部に露出し、かつその全周が前記樹脂封止体を構成する樹脂によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L23/28
, H01L21/56
, H01L23/50
H01L23/28 A
, H01L21/56 T
, H01L23/50 R
, H01L23/50 U
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109DA04
, 4M109DA10
, 5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA21
, 5F061CB13
, 5F061DD12
, 5F067AA01
, 5F067AA10
, 5F067AB04
, 5F067BA02
, 5F067BA03
, 5F067BC06
, 5F067BC12
, 5F067BD05
, 5F067BE02
, 5F067BE05
, 5F067DA16
, 5F067DF02
, 5F067DF16
