MEMS素子およびMEMS素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：上柳雅誉 , 藤綱英吉 , 須澤修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-038744
公開番号（公開出願番号）：特開2006-224220
出願日： 2005年02月16日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】耐湿性が良好で信頼性の向上したMEMS素子およびMEMS素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10に構造体18が形成され、構造体18の周辺部に構造体18を囲むように配線21と層間絶縁膜20,22とが積層された配線部40を備えるMEMS素子1であって、配線部40を構成する各膜の間に、平面視において構造体18を囲む形状のガードリング31,33,35が形成され、かつ、各膜を貫通し上下に位置するガードリング31,33,35に全周を接する貫通ガードリング30,32,34が形成され、配線部40に配置される配線21は各ガードリング31,33,35および各貫通ガードリング30,32,34の外側に配置される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板に構造体が形成され、前記構造体の周辺部に前記構造体を囲むように配線と層間絶縁膜とが積層された配線部を備えるMEMS素子であって、前記配線部を構成する各膜の間に平面視において前記構造体を囲む形状のガードリングが形成され、かつ、各膜を貫通し上下に位置する前記ガードリングに全周を接する貫通ガードリングが形成され、前記配線部に配置される前記配線は前記各ガードリングおよび前記各貫通ガードリングの外側に配置されたことを特徴とするMEMS素子。

IPC (4件)：

B81B 7/02 , B81C 1/00 , H01L 23/52 , H01L 21/320

FI (3件)：

B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/88 S

Fターム (27件)：

5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH25 , 5F033JJ04 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ25 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK25 , 5F033QQ09 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS25 , 5F033SS27 , 5F033VV00 , 5F033XX18 , 5F033XX33

引用特許：

出願人引用 (1件)

マイクロ構造体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-073545 出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (8件)

マイクロシステム及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-125905 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-274544 出願人：松下電器産業株式会社
特公平3-073136

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