特許
J-GLOBAL ID：200903088174294682
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-160922
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004403
出願日： 2007年06月19日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：
【課題】粘着テープからチップを吸引コレットで真空吸着して剥離する場合において、割れや欠けの少ないピックアップ・プロセスを提供する。【解決手段】コレット105がチップ1のデバイス面に向けて真空引きしながら降下し、着地する。ここで、吸着駒102の主要部である突き上げブロック110が上昇すると、チップ1はコレット105と突き上げブロック110に挟まれたまま上昇する。この時、チップ周辺は下側に応力を受け、湾曲することになる。そうするとコレット下面との間に隙間ができ、空気がコレット105の真空吸引系107に流入する結果、真空吸引系107に設けられたガス流量センサ21の吸引量出力が増加する。ここで、ピックアップ部制御系144の指令により、突き上げブロック110の上昇を停止し待機状態を維持すると、ダイシングテープ4の剥離が進行して、チップ1の湾曲状態が緩和して許容範囲に戻る。【選択図】図31
請求項（抜粋）：
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)ほぼ元のウエハの際の2次元的配置のままで、個々のチップ領域に分割された複数のチップを、それらの裏面を粘着テープに固定した状態でチップ処理装置に供給する工程;
(b)前記複数のチップの内の第1のチップの表面を吸着コレットで真空吸着し、且つ、前記第1のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記粘着テープを前記第1のチップの前記裏面から剥離させる工程、
ここで、前記工程(b)は以下の下位工程を含む:
(b1)前記第1のチップが前記粘着テープから完全に剥離する以前の前記第1のチップの湾曲状態を、前記吸着コレットの真空吸着系の流量を計測することによってモニタする工程。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (23件)：
5F031CA13
, 5F031DA13
, 5F031FA05
, 5F031FA07
, 5F031FA12
, 5F031GA23
, 5F031GA26
, 5F031GA36
, 5F031HA09
, 5F031HA25
, 5F031HA28
, 5F031HA78
, 5F031JA01
, 5F031JA45
, 5F031LA11
, 5F031MA34
, 5F031MA35
, 5F031MA39
, 5F031MA40
, 5F031PA02
, 5F031PA13
, 5F031PA16
, 5F031PA20
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (11件)
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