半導体装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：須藤克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-268227
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091445
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】ESD耐量を向上させたトランジスタ構造を提供することを目的とする。【解決手段】N型のエピタキシャル層2を複数の領域に分離し、隣り合う領域を絶縁するP型の絶縁分離層12を形成する。そして、エピタキシャル層2の表面であって、低濃度のドレイン層9と絶縁分離層12との間に、それらの層に隣接してN型不純物から成る高濃度拡散層13及び電極取り出し層14が形成されている。高濃度拡散層13及び電極取り出し層14はドレイン電極17と接続されている。半導体装置20のソース電極16に過大な正のサージ電圧が生じると、寄生ダイオード25,26に加えて、高濃度拡散層13及び電極取り出し層14を経路として含む寄生ダイオード27がオンしてソース電極16側からドレイン電極17側にESD電流を逃がす。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に形成された第2導電型の半導体層と、前記半導体層の表面に形成されたチャネル領域を含む第1導電型のボディ層と、前記ボディ層の表面に形成された第2導電型のソース層と、前記ボディ層の一部上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記半導体層の表面に形成された第2導電型のドレイン層と、前記半導体層を複数の領域に分離し、隣り合う分離領域を絶縁する第1導電型の絶縁分離層と、前記絶縁分離層と隣接し、ドレイン電極と接続された第2導電型の拡散層とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 27/06 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (3件)：

H01L29/78 301D , H01L27/06 311C , H01L27/04 H

Fターム (59件)：

5F038BH04 , 5F038BH07 , 5F038BH13 , 5F038CD04 , 5F038EZ12 , 5F038EZ13 , 5F038EZ14 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F048AA02 , 5F048AA03 , 5F048BA07 , 5F048BA12 , 5F048BB05 , 5F048BB20 , 5F048BC02 , 5F048BC03 , 5F048BC07 , 5F048BD06 , 5F048BE05 , 5F048BE06 , 5F048BF16 , 5F048BF17 , 5F048BG12 , 5F048BH01 , 5F048CC08 , 5F048CC13 , 5F048CC18 , 5F140AA31 , 5F140AA38 , 5F140AB06 , 5F140AC21 , 5F140BA01 , 5F140BB13 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BC17 , 5F140BD19 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF44 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BH17 , 5F140BH25 , 5F140BH30 , 5F140BK13 , 5F140BK20 , 5F140CB02 , 5F140CB10 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC12 , 5F140CD02 , 5F140DA05 , 5F140DA06 , 5F140DA08

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-192998 出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (9件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-205070 出願人：株式会社東芝
パワーMOSトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-396119 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
BiCDMOS構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-254786 出願人：シリコニックス・インコーポレイテッド

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