マーク認識方法及び半導体装置の製造方法及び実装方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-153519
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347390
出願日： 2002年05月28日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】シリコンウェハの回路パターン形成面に形成された認識マークを裏面側から画像認識することを課題とする。【解決手段】シリコンウェハ1の厚みを5μm〜50μmとなるまで背面研削する。白色光又は波長800nm以下の可視光をシリコン基板1の回路パターン2の形成面に照射し、シリコン基板1を透過した可視光をシリコン基板1の背面側から可視光カメラ3により受光し、シリコン基板1の回路パターン形成面上に形成された認識マークを画像認識する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の回路パターン形成面上に形成された認識マークを画像認識するマーク認識方法であって、該シリコン基板の厚みを5μm〜50μmとし、白色光又は波長800nm以下の可視光を前記シリコン基板の回路パターン形成面に照射し、前記シリコン基板を透過した可視光を前記シリコン基板の背面側から可視光カメラにより受光し、前記シリコン基板の回路パターン形成面上に形成された認識マークを画像認識することを特徴とするマーク認識方法。

FI (2件)：

H01L 21/68 F , H01L 21/68 N

Fターム (14件)：

5F031CA02 , 5F031CA13 , 5F031DA15 , 5F031FA05 , 5F031FA07 , 5F031FA11 , 5F031GA23 , 5F031HA78 , 5F031JA05 , 5F031JA39 , 5F031JA50 , 5F031MA22 , 5F031MA34 , 5F031MA35

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-331187 出願人：キヤノン株式会社
特開平3-023646
半導体素子接合装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-027870 出願人：シャープ株式会社

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