特許
J-GLOBAL ID：200903089569236610

MOSFETおよびその製造方法

発明者：
ローレンス・エイ・クレヴェンジャー

ローレンス・エイ・クレヴェンジャー について

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ルイス・エル・フスー

ルイス・エル・フスー について

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カール・ジェイ・レイデンス

カール・ジェイ・レイデンス について

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ジョゼフ・エフ・シェパード・ジュニア

ジョゼフ・エフ・シェパード・ジュニア について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-127052
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023155
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：
【要約】【課題】 ゲート誘電体とソース/ドレイン領域とのオーバーラップを信頼性よくなくすことのできるMOSFETとその製造方法を提供する。【解決手段】 基板10上に形成したゲート誘電体20とゲート導電体30から成るゲート積層体をパターニングする工程と、ゲート導電体30直下のゲート誘電体20を変更して、ゲート誘電体20が中央部とこの中央部に隣接する被変更誘電体領域70とを備えるようにする工程とを備えている。被変更誘電体領域70の誘電率は、ゲート誘電体20の誘電率よりも小さい。また、中央部の長さは、ゲート導電体30の長さよりも短い。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に位置するゲート誘電体層と、ゲート導電体とを備え、前記ゲート誘電体層が中央領域と複数の外郭領域とを備え、前記中央領域の誘電率が前記外郭領域の誘電率よりも大きく、前記ゲート導電体が、前記ゲート誘電体層の、前記中央領域全体と、前記複数の外郭領域の各々の少なくとも一部を覆っている金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)。
IPC (7件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5件)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
Fターム (55件)：
5F083EP44 ,  5F083EP56 ,  5F083GA03 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083PR09 ,  5F083PR29 ,  5F083PR37 ,  5F101BA26 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BD30 ,  5F101BH09 ,  5F101BH19 ,  5F140AA11 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD16 ,  5F140BE15 ,  5F140BE16 ,  5F140BF04 ,  5F140BF08 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG41 ,  5F140BG49 ,  5F140BG50 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CC07 ,  5F140CF04
引用特許：
審査官引用 (10件)
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