半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-319092
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135631
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】金属配線同士の間に、下地膜との密着性及び膜の緻密性に優れていると共に金属配線間に空孔を有するフッ素含有有機膜を地球の温暖化を招くことなく堆積できるようにする。【解決手段】半導体基板100の上に第1のシリコン酸化膜101を介して複数の金属配線106を形成する。次に、C5F8ガスを主成分とする原料ガスを用いて、複数の金属配線106同士の間及びその上面に、金属配線106同士の間に空孔107aを有する第1のフッ素含有有機膜107を堆積する。次に、C5F8ガスを主成分とする原料ガスを用いて、第1のフッ素含有有機膜107の上に、空孔を有しない第2のフッ素含有有機膜108を堆積する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に複数の金属配線を形成する工程と、プラズマ処理装置の反応室内に設けられた試料台に前記半導体基板を保持すると共に、前記反応室内にC5F8、C3F6又はC4F6を主成分とする原料ガスを導入することにより、前記複数の金属配線同士の間及びその上面に、前記複数の金属配線同士の間に空孔を有する第1のフッ素含有有機膜を堆積する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/312 , H01L 21/31 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/312 A , H01L 21/312 M , H01L 21/31 C , H01L 21/90 S , H01L 21/90 N

Fターム (40件)：

5F033HH11 , 5F033QQ00 , 5F033QQ08 , 5F033QQ11 , 5F033QQ28 , 5F033QQ74 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033RR24 , 5F033RR26 , 5F033RR29 , 5F033SS01 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033SS19 , 5F033TT03 , 5F033XX12 , 5F033XX25 , 5F045AA08 , 5F045AB39 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045BB16 , 5F045BB17 , 5F045CB05 , 5F045DC55 , 5F045DC63 , 5F045DP04 , 5F045EB02 , 5F045EH14 , 5F045HA23 , 5F058AA08 , 5F058AA10 , 5F058AC05 , 5F058AD01 , 5F058AD06 , 5F058AF02 , 5F058AG07 , 5F058AH01 , 5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開平2-086146
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-319476 出願人：日本電気株式会社
特開平2-086146

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Low-GWPのC5F8を用いた耐熱性low-k a-C:F膜のPE-CVD

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