特許
J-GLOBAL ID：200903093392175389
工程条件の変動を許容する無欠陥シリコン結晶の製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-576081
公開番号（公開出願番号）：特表2003-517414
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2003年05月27日
要約：
【要約】凝集真性点欠陥を実質的に有さない軸対称領域を有する、単結晶シリコンインゴットを成長させる方法。該インゴットは一般に、チョクラルスキー法によって成長されるが、インゴットを凝固温度から約900°Cより高い温度に冷却する手順を制御して、真性点欠陥が拡散しうるようにし、それによって、この軸対称領域において凝集欠陥が形成されないようにする。従って、vまたはG0が最大値〜最少値に少なくとも5%で変化することによって、比率v/G0がこの領域において軸方向に変動しうる。
請求項（抜粋）：
中心軸、シードコーン、エンドコーン、シードコーンとエンドコーンの間の定直径部分、および、定直径部分の一部を含み、凝集真性点欠陥を実質的に有さないインゴットセグメント、を有する単結晶シリコンインゴットを成長させる方法であって、該方法が、 比率v/G0が、インゴットの成長とともに、インゴットセグメントの長さの関数として変化しうるようにし、v/G0は最少値(v/G0)minと最大値(v/G0)maxとの間で変化することができ、ここで、vは成長速度であり、G0は中心軸における凝固温度と約1300°Cとの間の平均軸方向温度勾配であり、(v/G0)minは(v/G0)maxの約95%以下であり:および インゴットセグメント内の凝集真性点欠陥の形成を防止するのに充分な滞留時間tdwにおいて、インゴットセグメントを、凝固温度から、約1050°Cと約900°Cとの間の温度に冷却する;ことを含んで成る方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/20
C30B 29/06 502 J
, C30B 15/20
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EA02
, 4G077HA12
, 4G077PF55
