特許
J-GLOBAL ID：200903093619006350
静電容量式圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177342
公開番号（公開出願番号）：特開2000-009573
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 温度が変化してもシリコンチップに歪みが生じない感度温度特性が良好な静電容量式圧力センサを提供する。【解決手段】 ダイアフラム構造を有するシリコンチップ1と、シリコンチップ1に接合される上部台座8及び下部台座9とで構成され、ダイアフラム11には可動電極5を設け、上部台座8には固定電極4を設け、可動電極5と固定電極4とを対向配置し、両者間の静電容量の変化により圧力を測定する静電容量式圧力センサにおいて、上部台座8及び下部台座9をシリコンで形成した。
請求項（抜粋）：
ダイアフラム構造を有するシリコンチップと、該シリコンチップに接合される上部台座及び下部台座とで構成され、ダイアフラムには可動電極を設け、前記上部台座には固定電極を設け、可動電極と固定電極とを対向配置し、両者間の静電容量の変化により圧力を測定する静電容量式圧力センサにおいて、前記上部台座及び下部台座をシリコンで形成したことを特徴とする静電容量式圧力センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
2F055AA39
, 2F055BB20
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE25
, 2F055FF01
, 2F055FF15
, 2F055GG49
, 4M112AA01
, 4M112BA07
, 4M112CA03
, 4M112CA12
, 4M112CA15
, 4M112CA16
, 4M112DA02
, 4M112EA02
