半導体装置およびその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-125909
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298326
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】ガラス基板上に単結晶珪素で形成したトランジスタに匹敵する薄膜トランジスタを形成する。【構成】ガラス基板101上に下地膜102を形成し、その上に非晶質珪素膜103を形成する。そして、水素プラズマの処理による脱水素化を非晶質珪素膜103に対して施す。さらに珪素の結晶化を助長する金属元素であるニッケルを含んだ溶液を非晶質珪素膜上に塗布する。そして加熱やレーザー光の照射による結晶化を行う。さらにパターニングを施すことにより、後の結晶成長の種104を形成する。さらに非晶質珪素膜105を形成し、さらなる加熱やレーザー光の照射によって、種104からの結晶成長を行わせ、単結晶と見なせる領域106を形成する。そして、パターニングを施すことにより、単結晶と見なせる領域107、108を形成する。この領域を活性層として薄膜トランジスタを構成することで、単結晶で構成したもに匹敵する薄膜トランジスタを得ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に第1の珪素膜を形成する工程と、前記第1の珪素膜を水素のプラズマまたはヘリウムのプラズマに曝す工程と、該工程の前または後に前記第1の珪素膜に接して珪素の結晶化を助長する金属元素を保持させる工程と、エネルギーを与えることにより、前記第1の珪素膜を結晶化させる工程と、前記結晶化された第1の珪素膜をパターニングし結晶成長の種を形成する工程と、前記結晶成長の種を覆って第2の珪素膜を形成する工程と、前記第2の珪素膜を水素のプラズマまたはヘリウムのプラズマに曝す工程と、エネルギーを与えることにより、前記第2の珪素膜を結晶化させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平4-100211
特開平1-187875
半導体作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-275416 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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