特許
J-GLOBAL ID：200903094447805871

半導体装置

発明者：
吉川 功

吉川 功 について

, 
脇本 博樹

脇本 博樹 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-118666
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294556
出願日： 2006年04月24日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【課題】終端構造領域および遷移領域を有する半導体装置において、終端構造領域および遷移領域をより一層短くすること。総ゲート長を必要以上に長くすることなく、本来必要な領域にのみゲート電極を設置すること。【解決手段】活性領域1と終端構造領域3の間の遷移領域2に、トレンチ溝19に電極20を埋め込んだトレンチ埋込領域5を設ける。トレンチ溝19の側壁および底部に沿ってP型の第1バイパス領域23を設ける。トレンチ溝19の終端構造領域3側に、第1バイパス領域23とソース電極17の両方に接続された第2バイパス領域6を設ける。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
活性領域と該活性領域を囲む終端構造領域との間に遷移領域を有する半導体装置において、 第1主面と第2主面を有する第1導電型のドリフト領域と、 前記第1主面に沿って選択的に設けられた第2導電型のチャネル領域、該チャネル領域内に選択的に設けられた第1導電型の第1半導体領域、該第1半導体領域と前記チャネル領域の両方に接続された第1電極、前記第1半導体領域と前記ドリフト領域の間の前記チャネル領域に沿って設けられたゲート絶縁膜、および該ゲート絶縁膜に沿って設けられたゲート電極を有する活性領域と、 前記第1主面から前記チャネル領域よりも深くまで達するトレンチ溝内に埋め込まれ、かつ前記第1電極に接続された電極、並びに前記トレンチ溝の側壁および底部に沿って設けられた第2導電型のバイパス領域を有する遷移領域と、 前記ドリフト領域の第2主面に沿って設けられた第1導電型の第2半導体領域と、 前記第2半導体領域に接続された第2電極と、 終端構造領域の外周縁に沿って前記第1主面から前記第2主面まで達する切断面と、 を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 29/78
FI (3件)：
H01L29/78 652N ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652S
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (7件)
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