半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川澄茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-369612
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170854
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】回路形成面の外周部に外部電極が設けられた半導体チップをフリップチップ接合した半導体装置において、前記半導体チップと配線基板の間の封止樹脂にボイドが生じるのを防ぐ。【解決手段】絶縁性基材の一主面(表側面)に配線及びその外部接続端子が設けられた配線基板を設け、前記配線基板の表側面の所定位置にフィルム状接着層を設け、前記配線基板の表側面に、半導体基板の回路形成面の外周部に外部電極が設けられた半導体チップを、その回路形成面が前記配線基板と向かい合うように設け、前記半導体チップの回路形成面の中央部が前記フィルム状接着層を介して前記配線基板と接着され、前記配線基板の配線と前記半導体チップの回路形成面上に設けられた外部電極とが突起導体により電気的に接続され、前記半導体チップの外部電極、突起導体、及び突起導体と配線の接続部の周辺が封止絶縁体により封止された半導体装置である。

請求項（抜粋）：

絶縁性基材の一主面(表側面)に配線及びその外部接続端子が設けられた配線基板を設け、前記配線基板の表側面の所定位置にフィルム状接着層を設け、前記配線基板の表側面に、半導体基板の回路形成面の外周部に外部電極が設けられた半導体チップを、その回路形成面が前記配線基板と向かい合うように設け、前記半導体チップの回路形成面の中央部が前記フィルム状接着層を介して前記配線基板と接着され、前記配線基板の配線と前記半導体チップの回路形成面上に設けられた外部電極とが突起導体により電気的に接続され、前記半導体チップの外部電極、突起導体、及び突起導体と配線の接続部の周辺が封止絶縁体により封止されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 , H01L 23/12 501 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 23/12 501 B , H01L 23/30 B

Fターム (8件)：

4M109AA02 , 4M109BA01 , 4M109CA10 , 4M109EB12 , 4M109EC04 , 5F044KK03 , 5F044LL11 , 5F044RR16

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-015482 出願人：日立化成工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-215769 出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
フリップチップ接続方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-036491 出願人：松下電工株式会社

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