特許
J-GLOBAL ID：200903098904605447

半導体装置の実装方法

発明者：
八木 能彦

八木 能彦 について

, 
大谷 博之

大谷 博之 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-174898
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012616
出願日： 1998年06月22日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップの突起電極と回路基板の配線電極とを導電性接着剤で接合する際に、その電極接合部における熱歪によるクラックの発生を防止し、品質の高い接合を得る。【解決手段】 半導体チップ1の突起電極3と回路基板5の配線電極6とを導電性接着剤4により電気的に接続するとともに、同時に半導体チップ1の略中央部分を回路基板5の対向する部分にシート状の熱硬化型樹脂7で接着し、機械的に固着する。さらに、接着したシート状の熱硬化型樹脂7の周囲の半導体チップ1と回路基板5との隙間に液状の熱硬化型樹脂8を注入し、硬化して封止する。
請求項（抜粋）：
配線電極を有する回路基板に対し、回路形成面に突起電極を設けた半導体チップを装着するに際し、前記配線電極と突起電極を位置合わせして電気的に接続するとともに、前記半導体チップの略中央部分を前記回路基板の対向する部分にシート状の熱硬化型樹脂で接着し、さらに、接着したシート状の熱硬化型樹脂の周囲の前記半導体チップと回路基板との隙間に液状の熱硬化型樹脂を注入し、硬化して封止することを特徴とする半導体装置の実装方法。
IPC (4件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (3件)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/30 B
Fターム (19件)：
4M105AA01 ,  4M105AA11 ,  4M105AA27 ,  4M105BB07 ,  4M105BB17 ,  4M105FF01 ,  4M105GG17 ,  4M105GG18 ,  4M105GG19 ,  4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA02 ,  4M109CA04 ,  4M109DA06 ,  4M109EA01 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA02 ,  5F061CA04
引用特許：
審査官引用 (11件)
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