特許
J-GLOBAL ID:200903096928891910
基板洗浄方法及び基板洗浄装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-073040
公開番号(公開出願番号):特開2008-153605
出願日: 2007年03月20日
公開日(公表日): 2008年07月03日
要約:
【課題】 基板に悪影響を与えることのない基板洗浄方法を提供する。【解決手段】 気液混合方法によって無添加生成したオゾン水を用いて基板を洗浄する基板洗浄方法において、当該オゾン水が含有するオゾン気泡の粒径Rが0<R≦50nmである ことを特徴とする。オゾン気泡の粒径が上記範囲にあるためオゾン水から浮力を受けづらい。この結果、オゾン気泡の上昇が抑制され、その結果、容易に脱気しない。容易に脱気しないことにより充分な洗浄効果を得ることのできる【選択図】 図1
請求項(抜粋):
気液混合方法によって無添加生成したオゾン水を用いて基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
当該オゾン水が含有するオゾン気泡の粒径Rが0<R≦50nmである
ことを特徴とする基板洗浄方法。
IPC (4件):
H01L 21/304
, G02F 1/13
, G02F 1/133
, H05K 3/26
FI (6件):
H01L21/304 647Z
, H01L21/304 643A
, H01L21/304 648K
, G02F1/13 101
, G02F1/1333 500
, H05K3/26 E
Fターム (8件):
2H088FA21
, 2H088FA30
, 2H088HA01
, 2H090JB02
, 2H090JC19
, 5E343AA02
, 5E343EE02
, 5E343GG11
引用特許:
出願人引用 (4件)
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-226283
出願人:株式会社リコー
-
半導体基板又は素子の洗浄方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-235425
出願人:三菱住友シリコン株式会社, 株式会社ピュアトロン, エコー技研株式会社
-
フォトレジスト膜除去方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-217877
出願人:株式会社ササクラ
-
オゾン水およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-062156
出願人:独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社REO研究所
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審査官引用 (11件)
-
基板処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-167470
出願人:住友精密工業株式会社
-
ナノバブルの利用方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-288963
出願人:独立行政法人産業技術総合研究所
-
気液混合気泡発生装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-122379
出願人:協和工業株式会社
-
基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-277313
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
-
オゾン水利用の水質改善装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平2-418597
出願人:柏原伸而, 斎藤弘
-
基板処理方法及びその装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-321805
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
-
基板洗浄装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-085464
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
-
洗浄装置及び洗浄方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-342958
出願人:三菱電機株式会社
-
オゾン水製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-183248
出願人:株式会社石森製作所
-
レジスト処理方法およびレジスト処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-031560
出願人:シャープ株式会社
-
電子材料の洗浄方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-023515
出願人:栗田工業株式会社
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