特許
J-GLOBAL ID：200903097096746880

半導体装置

発明者：
鈴木 久満

鈴木 久満 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-294885
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118858
出願日： 1999年10月18日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 浅溝型素子分離構造により素子分離した半導体装置にあって、ディッシングが素子分離領域に生じないような構成を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 本半導体装置10は、浅溝型素子分離構造によって素子分離されたバイポーラトランジスタ12をシリコン基板18に備えた半導体装置である。バイポーラトランジスタを素子分離する浅溝型素子分離構造が、バイポーラトランジスタのコレクタを構成するコレクタ・ウエル22の領域を区画する第1の浅溝の素子分離溝20aと、第1の素子分離溝の外側に離隔して設けられた第2の浅溝の素子分離溝20bとを有する。コレクタ・ウエルと反対の導電型のpn分離用ウエル21が、第1の素子分離溝から第2の素子分離溝まで全間隔にわたり、ウエル・コレクタの周囲を連続して取り囲むようにシリコン基板に設けられている。
請求項（抜粋）：
浅溝型素子分離構造によって素子分離されたバイポーラトランジスタをシリコン基板に備えた半導体装置において、バイポーラトランジスタを素子分離する浅溝型素子分離構造が、バイポーラトランジスタのコレクタを構成するコレクタ・ウエルの領域を区画する第1の浅溝型素子分離溝と、第1の素子分離溝の外側に、順次、離隔して設けられた少なくとも1本の第2の浅溝型素子分離溝とを有し、コレクタ・ウエルと反対の導電型の環状pn分離用ウエルが、第1の素子分離溝からその外側の第2の素子分離溝まで全間隔にわたり及び外側の第2の素子分離溝から更に外側の第2の素子分離溝まで全間隔にわたり、ウエル・コレクタの周囲を連続して、又は断続して取り囲んでシリコン基板に設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06
FI (3件)：
H01L 29/72 ,  H01L 21/76 L ,  H01L 27/06 321 C
Fターム (44件)：
5F003AP04 ,  5F003BA25 ,  5F003BA27 ,  5F003BA29 ,  5F003BA93 ,  5F003BA97 ,  5F003BB06 ,  5F003BC02 ,  5F003BC08 ,  5F003BC90 ,  5F003BE07 ,  5F003BF90 ,  5F003BG10 ,  5F003BH07 ,  5F003BJ03 ,  5F003BJ15 ,  5F003BM01 ,  5F003BP21 ,  5F003BP31 ,  5F003BP94 ,  5F032AA35 ,  5F032AA77 ,  5F032BA02 ,  5F032CA17 ,  5F032CA18 ,  5F032CA20 ,  5F032CA21 ,  5F032DA33 ,  5F048AA04 ,  5F048AC05 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF18 ,  5F048BG14 ,  5F048CA01 ,  5F048CA02 ,  5F048CA04 ,  5F048CA06 ,  5F048CA13
引用特許：
審査官引用 (34件)
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