特許
J-GLOBAL ID：200903097452302186

ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
小橋 宏司

小橋 宏司 について

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横田 嘉宏

横田 嘉宏 について

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川上 信之

川上 信之 について

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林 和志

林 和志 について

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橘 武史

橘 武史 について


出願人/特許権者：
株式会社神戸製鋼所

株式会社神戸製鋼所 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-026965
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216716
出願日： 2005年02月02日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】 絶縁耐性が優れたダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ダイヤモンド基板1上に、夫々ソース領域及びドレイン領域となる低抵抗ダイヤモンド層2a及び2bを局所的に形成し、これら間及び相互に対向する端部上に、アンドープダイヤモンド又はBが低濃度でドープされたダイヤモンドからなる高抵抗ダイヤモンド層3を形成する。また、低抵抗ダイヤモンド層2a及び2b上に、夫々ソース電極5及びドレイン電極6を形成し、高抵抗ダイヤモンド層3上に、ゲート絶縁膜4を介してゲート電極7を形成する。このとき、ゲート絶縁膜4は、酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、アルミナ層、ダイヤモンド状炭素層、窒化シリコン層、ジルコニア層、チタン酸ストロンチウム層、チタン酸バリウム層及びサイアロン層からなる群から選択された2種以上の層を積層した積層膜とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ダイヤモンドからなるチャネル領域と、このチャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、を有し、前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、アルミナ層、ダイヤモンド状炭素層、窒化シリコン層、ジルコニア層、チタン酸ストロンチウム層、チタン酸バリウム層及びサイアロン層からなる群から選択された2種以上の層を積層したものであることを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。
IPC (1件)：
H01L 29/78
FI (2件)：
H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301B
Fターム (25件)：
5F140AA19 ,  5F140BA04 ,  5F140BA13 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BB18 ,  5F140BC13 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BH06 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ23 ,  5F140BK18 ,  5F140BK19 ,  5F140BK23
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (7件)
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