特許
J-GLOBAL ID：200903097517715726

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者：
鈴木 巨裕

鈴木 巨裕 について

, 
奥野 英一

奥野 英一 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-031704
公開番号（公開出願番号）：特開2009-194065
出願日： 2008年02月13日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：
【課題】製品特性にバラツキを防止でき、歩留まり向上を図ることができる構造のSiC半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】トレンチ6の側面のうちチャネル領域が構成される部分に対する法線方向にp型ディープ層10を延設する。このような構造によれば、p型ディープ層10とn-型ドリフト層2とのPN接合部での空乏層がn-型ドリフト層2側に大きく伸びることになり、ドレイン電圧の影響による高電圧がゲート酸化膜8に入り込み難くなる。このため、ゲート酸化膜8内での電界集中、特にゲート酸化膜8のうちのトレンチ6の底部での電界集中を緩和することが可能となり、ゲート酸化膜8が破壊されることを防止できる。また、トレンチ6の長手方向とp型ディープ層10の長手方向とが垂直とされているため、これらを形成するためのマスクずれがデバイス特性に影響を与えることはない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素からなる第1または第2導電型の基板(1)と、 前記基板(1)の上に形成され、前記基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)と、 前記ドリフト領域(2)の表面から形成されたトレンチ(6)と、 前記トレンチ(6)内に形成されたゲート絶縁膜(8)と、 前記トレンチ(6)の側面に位置する前記ゲート絶縁膜(8)から所定距離離間するように形成されると共に、前記トレンチ(6)を挟んだ両側に形成された第2導電型の炭化珪素からなるベース領域(3)と、 前記ベース領域(3)と前記ゲート絶縁膜(8)との間に形成された炭化珪素からなる第1導電型のチャネル層(7)と、 前記ベース領域(3)の上層部に形成され、前記チャネル層(7)と接し、かつ、前記トレンチ(6)を挟んだ両側に形成された、前記ドリフト層(2)よりも高濃度の第1導電型の炭化珪素からなるソース領域(4)と、 前記トレンチ(6)内において、前記ゲート絶縁膜(8)の上に形成されたゲート電極(9)と、 前記ソース領域(4)および前記ベース領域(3)に電気的に接続されたソース電極(11)と、 前記基板(1)の裏面側に形成されたドレイン電極(13)とを備え、 前記ゲート電極(9)への印加電圧を制御することで前記チャネル層(7)に形成される蓄積型のチャネルを制御し、前記ソース領域(4)および前記ドリフト層(2)を介して、前記ソース電極(11)および前記ドレイン電極(13)の間に電流を流す蓄積型のMOSFETを備えた炭化珪素半導体装置であって、 前記ベース領域(3)の下方に配置されると共に前記トレンチ(6)よりも深い位置まで配置され、前記トレンチ(6)のうち前記チャネル領域が形成される側面に対する法線方向に延設された第2導電型のディープ層(10)が備えられていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 653A
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 炭化珪素半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-009625   出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
審査官引用 (8件)
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