特許
J-GLOBAL ID:200903098132640039
半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-203580
公開番号(公開出願番号):特開2008-034475
出願日: 2006年07月26日
公開日(公表日): 2008年02月14日
要約:
【課題】半導体装置の製造過程において、コンタクトホールの底面に残る不要残存膜の厚さまたは抵抗値を高速、かつ高精度に推定する。【解決手段】検査用標準試料1のコンタクトホール7を被検査対象のコンタクトホールとほぼ同じ材質および構造により構成し、電子線を照射して検査用標準試料1の二次電子画像の電位コントラストを測定し、検査用標準試料1の擬似欠陥部4におけるコンタクトホール7の電位コントラストとコンタクトホール7の底面に形成した擬似残存膜8の厚さまたは抵抗値との関係をあらかじめ取得しておく。その後、被検査対象のコンタクトホールへ電子線を照射して被検査対象の二次電子画像の電位コントラストを測定し、検査用標準試料1の電位コントラストと被検査対象の電位コントラストとを比較することにより、被検査対象のコンタクトホールの底面に残る不要残存膜の厚さまたは抵抗値を推定する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
以下の検査工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法:
(a)互いにコンタクトホールの底面に形成した擬似残存膜の厚さまたは抵抗値が異なる複数の検査用標準試料を用意する工程;
(b)前記複数の検査用標準試料にそれぞれ電子線を照射して、前記複数の検査用標準試料が有するコンタクトホールの二次電子画像の電位コントラストをそれぞれ取得する工程;
(c)前記複数の検査用標準試料が有するコンタクトホールの二次電子画像の電位コントラストと前記複数の検査用標準試料が有するコンタクトホールの底面に形成した擬似残存膜の厚さまたは抵抗値との関係を取得する工程;
(d)被検査対象に電子線を照射して、前記被検査対象が有するコンタクトホールの二次電子画像の電位コントラストを取得する工程;
(e)前記(c)工程で取得した前記複数の検査用標準試料が有するコンタクトホールの二次電子画像の電位コントラストと前記複数の検査用標準試料が有するコンタクトホールの底面に形成した擬似残存膜の厚さまたは抵抗値との関係から、前記被検査対象が有するコンタクトホールの底面に残る不要残存膜の厚さまたは抵抗値を推定する工程、
ここで、前記工程(a)で用意される前記複数の検査用標準試料は、以下の工程を含む:
(a1)半導体基板の主面上に絶縁膜を堆積する工程、
(a2)前記絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程、
(a3)前記コンタクトホールの内部を含む前記絶縁膜上に300nm以下の厚さの前記擬似残存膜を形成する工程、
(a4)擬似欠陥部のコンタクトホールをマスクパターンで覆い、擬似欠陥部以外の領域の擬似残存膜を除去する工程、
(a5)前記コンタクトホールの内部に導電性膜を埋め込む工程。
IPC (5件):
H01L 21/66
, H01L 21/320
, H01L 23/52
, G01N 23/225
, G01B 15/02
FI (5件):
H01L21/66 S
, H01L21/88 Z
, H01L21/66 P
, G01N23/225
, G01B15/02 K
Fターム (62件):
2F067AA28
, 2F067CC17
, 2F067GG01
, 2F067HH06
, 2F067JJ05
, 2F067KK04
, 2F067PP12
, 2F067RR25
, 2F067SS01
, 2F067SS13
, 2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001CA03
, 2G001FA02
, 2G001FA06
, 2G001GA06
, 2G001HA13
, 2G001JA15
, 2G001JA16
, 2G001KA03
, 2G001KA11
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 2G001PA05
, 2G001QA02
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA16
, 4M106CA48
, 4M106DH03
, 4M106DH09
, 4M106DH24
, 4M106DH33
, 5F033JJ15
, 5F033JJ18
, 5F033JJ25
, 5F033JJ33
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP12
, 5F033PP15
, 5F033PP19
, 5F033QQ09
, 5F033QQ25
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033QQ58
, 5F033QQ73
, 5F033QQ76
, 5F033QQ92
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR21
, 5F033SS04
, 5F033SS08
, 5F033SS10
, 5F033SS15
, 5F033SS25
, 5F033SS27
, 5F033VV12
, 5F033XX37
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (6件)
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