酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法、及びこれを用いた窒化物半導体膜の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：成瀬勝夫 , 中村智廣 , 佐々木一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-334951
公開番号（公開出願番号）：特開2007-137728
出願日： 2005年11月18日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【課題】最表面が立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層又は最表面が六方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を表層部に有した酸化ガリウム単結晶複合体の選択的製造方法、及び窒化物半導体膜の製造方法を提供する。【解決手段】酸化ガリウム単結晶からなる基板の表層部に窒化ガリウム層を有する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、上記基板の表面を窒素プラズマで窒化処理して窒化ガリウム層を形成する際に窒化処理の時間を制御することで、反射高速電子線回折によって測定される窒化ガリウム層の最表面が立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層又は六方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を選択的に製造する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法、及びこの複合体の表面に窒化物半導体膜を成長させる窒化物半導体膜の製造方法である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化ガリウム単結晶からなる基板の表層部に窒化ガリウム層を有する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、上記基板の表面を窒素プラズマで窒化処理して窒化ガリウム層を形成する際に窒化処理の時間を制御することで、反射高速電子線回折によって測定される窒化ガリウム層の最表面が立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層又は六方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を選択的に製造することを特徴とする酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/38 , H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 21/203 , C30B 1/10

FI (5件)：

C30B29/38 D , H01L33/00 C , H01L21/205 , H01L21/203 M , C30B1/10

Fターム (38件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077CA01 , 4G077CA07 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE02 , 4G077EJ03 , 4G077FJ06 , 4G077HA12 , 4G077JA02 , 4G077JB02 , 4G077JB12 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA64 , 5F041CA74 , 5F041CA99 , 5F045AA10 , 5F045AA20 , 5F045AB14 , 5F045AC15 , 5F045AF07 , 5F045AF13 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045HA04 , 5F045HA06 , 5F103AA04 , 5F103BB42 , 5F103DD01 , 5F103HH04 , 5F103LL02 , 5F103LL03 , 5F103NN01 , 5F103PP02 , 5F103PP06

引用特許：

出願人引用 (8件)

酸化ガリウム単結晶複合体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-054787 出願人：日本軽金属株式会社
GaN膜及びGaN膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-188647 出願人：日本無線株式会社, 尾鍋研太郎
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-342676 出願人：日本電信電話株式会社

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