特許
J-GLOBAL ID：200903098642211035

薄膜ガスセンサ

発明者：
国原 健二

国原 健二 について

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小野寺 克己

小野寺 克己 について

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鈴木 卓弥

鈴木 卓弥 について

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荻野 慎次

荻野 慎次 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-304901
公開番号（公開出願番号）：特開2002-116171
出願日： 2000年10月04日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】 長期間のパルス駆動にも抵抗変化が少なく、信頼性の高い薄膜ガスセンサの提供。【解決手段】 薄膜ガスセンサの貴金属薄膜ヒータ3を、Ta,Cr,Ti等のうちの少なくとも1つの元素を主成分として含む薄膜層を介して下地絶縁層および被覆絶縁層と接合する構造(薄膜ヒータをTa,Cr,Tiなどの薄膜層でサンドイッチし、さらにそれを下地絶縁層と被覆絶縁層とでサンドイッチした構造)とすることにより、密着性を向上させ、ヒータ断線の少ない実用的な薄膜ガスセンサを提供する。
請求項（抜粋）：
Si基板の一側面中央部がダイアフラム様にくり抜かれた基板面上に、熱酸化SiO2 膜,CVD-SiO2 膜,窒化Si膜を含む支持膜を介して薄膜ヒータを形成し、SiO2 を含む電気絶縁膜を介してPtを含むガス感知膜電極を形成し、その上にSnO2 を含む感知膜を形成した薄膜ガスセンサにおいて、前記薄膜ヒータがTa,Cr,Tiの内の少なくとも1つの元素を主成分として含む薄膜層を介して、下地絶縁層および被覆絶縁層と接合する構造にしたことを特徴とする薄膜ガスセンサ。
FI (2件)：
G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 A
Fターム (24件)：
2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046AA21 ,  2G046AA24 ,  2G046BA01 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046BE03 ,  2G046BE08 ,  2G046BF01 ,  2G046DA05 ,  2G046DB04 ,  2G046DB05 ,  2G046DD01 ,  2G046EB06 ,  2G046FB02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE10 ,  2G046FE31 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE41 ,  2G046FE44 ,  2G046FE46
引用特許：
審査官引用 (13件)
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