特許
J-GLOBAL ID：200903026342220830

面発光レーザの製造方法および面発光レーザおよび光伝送システム

発明者：
伊藤 彰浩

伊藤 彰浩 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-431927
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191343
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 均一なレーザ特性をもつ面発光レーザ(VCSEL)が得られ、さらには、保護膜形成や電極パターン形成などの後工程が安定になる面発光レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 化合物半導体基板上に、下部半導体多層膜反射鏡、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層、上部多層膜反射鏡を有する積層膜を形成し、該積層膜をドライエッチング法によってメサ構造に加工する工程を有する面発光レーザの製造方法において、前記積層膜中に、Al1-x-yGaxInyAs1-zPz (0≦x,y<1,0≦(x+y)<1, 0≦z≦1)の組成のエッチング停止層と、該エッチング停止層の上に接してGa1-xInxAs1-yPy (0≦x,y≦1)の組成をもつ酸素導入層とを含み、前記酸素導入層をエッチング中に酸素原子を含むガスを導入し前記エッチング停止層でエッチングを停止させる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に、下部半導体多層膜反射鏡、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層、上部多層膜反射鏡を有する積層膜を形成し、該積層膜をドライエッチング法によってメサ構造に加工する工程を有する面発光レーザの製造方法において、前記積層膜中に、Al1-x-yGaxInyAs1-zPz (0≦x,y<1,0≦(x+y)<1, 0≦z≦1)の組成のエッチング停止層と、該エッチング停止層の上に接してGa1-xInxAs1-yPy (0≦x,y≦1)の組成をもつ酸素導入層とを含み、前記酸素導入層をエッチング中に酸素原子を含むガスを導入し前記エッチング停止層でエッチングを停止させることを特徴とする面発光レーザの製造方法。
IPC (2件)：
H01S5/183 ,  H01L21/3065
FI (2件)：
H01S5/183 ,  H01L21/302 105A
Fターム (17件)：
5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA26 ,  5F004DB19 ,  5F004DB20 ,  5F004EA23 ,  5F073AA53 ,  5F073AB17 ,  5F073CA07 ,  5F073DA25 ,  5F073DA27 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (10件)
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