特許
J-GLOBAL ID：200903099213190425
低誘電率シリカ系被膜のダメージ修復方法および該方法により修復された低誘電率シリカ系被膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 政久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-299735
公開番号（公開出願番号）：特開2009-129927
出願日： 2007年11月19日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：
【課題】 低誘電率シリカ系被膜のエッチング加工時に発生するシリカ系変性物やアッシング加工時に発生するレジスト分解物などの残渣除去、あるいはCMP加工時に発生する研磨屑などの残渣除去を目的として使用される洗浄液によって化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を修復する方法に関する。【手段】 化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を有する基板またはデバイスを容器内に収納し、さらに該容器内に過熱水蒸気を導入して前記シリカ系被膜を加熱処理することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜のダメージ修復方法および該方法により修復された低誘電率シリカ系被膜。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を有する基板またはデバイスを容器内に収納し、さらに該容器内に過熱水蒸気を導入して前記シリカ系被膜を加熱処理することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜のダメージ修復方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, H01L 21/312
, H01L 21/316
H01L21/302 106
, H01L21/306 Z
, H01L21/312 C
, H01L21/316 G
5F004AA07
, 5F004BD01
, 5F004FA01
, 5F043DD12
, 5F043FF01
, 5F043GG03
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AD05
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AG10
, 5F058AH02
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC05
, 5F058BD04
, 5F058BD07
, 5F058BF46
, 5F058BH03
, 5F058BH20
, 5F058BJ02
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (9件)
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