特許
J-GLOBAL ID：200903099258834960

半導体装置

発明者：
岩▲崎▼ 富生

岩▲崎▼ 富生 について

, 
三浦 英生

三浦 英生 について

, 
中島 隆

中島 隆 について

, 
太田 裕之

太田 裕之 について

, 
西原 晋治

西原 晋治 について

, 
佐原 政司

佐原 政司 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-310641
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127157
出願日： 1999年11月01日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。また、歩留りの高い半導体装置を提供する。また、短絡を起こしにくい配線構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン基板の一主面側に、アルミニウムを主構成材料とし、添加元素として銅を含有した金属配線を備えた半導体装置において、前記金属配線層に銅の析出を抑制する元素を含有させるか、あるいは、前記金属配線層に銅の析出を抑制する隣接膜を接触させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の一主面側に形成された主構成材料がアルミニウムである配線とを備え、前記配線には銅とニッケルとが含有された半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205
FI (4件)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N
Fターム (37件)：
4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F033HH10 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK10 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033LL09 ,  5F033MM08 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR15 ,  5F033WW01 ,  5F033WW04 ,  5F033XX31
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM