特許
J-GLOBAL ID：200903099306962770
半導体圧力センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-293577
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124466
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】十分な位置精度が確保できる半導体圧力センサを提供する。【解決手段】シリコン基板3の第1の面3aに開口する凹部4を形成し、シリコン基板3の第1の面3aとシリコン基板1とを酸化シリコン膜2を介して貼り合わせる。シリコン基板3の第2の面3bを研磨して凹部4の底部にダイヤフラム6を形成し、シリコン基板3の第2の面3bに、アライメントマーク用凹部18を有する酸化シリコン膜9を形成する。アライメントマーク用凹部18を用いてゲージ抵抗7,8、ゲージ抵抗用コンタクトホール12,13およびゲージ抵抗用配線10,11を形成する。貼り合わせ工程および研磨工程の後にアライメントマーク用凹部18が形成されるので、十分な位置精度が確保できる。
請求項（抜粋）：
第1のシリコン基板の第1の面に開口する凹部を形成する工程と、前記第1のシリコン基板の第1の面と第2のシリコン基板とを絶縁膜を介して貼り合わせる工程と、前記第1のシリコン基板の第2の面を研磨して凹部の底部にダイヤフラムを形成する工程と、前記第1のシリコン基板の第2の面に、アライメントマーク用凹部または貫通孔を有する絶縁膜を形成する工程と、前記アライメントマーク用凹部または貫通孔を用いて、少なくともゲージ抵抗、ゲージ抵抗用コンタクトホールおよびゲージ抵抗用配線のいずれかを形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
H01L 29/84 B
, G01L 9/04 101
2F055AA22
, 2F055BB01
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE14
, 2F055FF43
, 2F055GG01
, 2F055GG15
, 4M112AA01
, 4M112BA01
, 4M112CA16
, 4M112DA04
, 4M112DA18
, 4M112EA02
