特許
J-GLOBAL ID：200903099548255971

バリア膜製造方法

発明者：
原田 雅通

原田 雅通 について


出願人/特許権者：
日本真空技術株式会社

日本真空技術株式会社 について


代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-038045
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235962
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：
【要約】【課題】低比抵抗でバラツキの小さい窒化タングステン薄膜を提供する。【解決手段】基板20表面に高融点金属の窒化物薄膜(窒化タングステン薄膜)24を形成する前に、電離した窒素及び水素を含むプラズマで基板表面をクリーニングする。低温のCVDプロセスでも、クリーニング後、直ちに窒化物薄膜24の成長が開始でき、品質のよいバリア膜33を形成することができる。導入する還元性ガスの種類を切り替えると、窒化物薄膜24表面に高融点金属薄膜(タングステン薄膜)25を形成することができるので、積層構造のバリア膜33を得ることができる。
請求項（抜粋）：
高融点金属の窒化物薄膜を有するバリア膜を基板の表面に形成するバリア膜製造方法であって、電離状態の窒素と電離状態の水素とを含む混合プラズマに前記基板表面を曝した後、前記混合プラズマを消滅させ、構造中に前記高融点金属を有する原料ガスを導入し、前記窒化物薄膜の成長を開始させることを特徴とするバリア膜製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205
FI (3件)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M
Fターム (33件)：
4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104BB33 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD44 ,  4M104DD52 ,  4M104DD79 ,  4M104EE14 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH16 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP03 ,  5F033PP04 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ78 ,  5F033QQ90 ,  5F033WW03
引用特許：
審査官引用 (8件)
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