特許
J-GLOBAL ID：200903099553717207
レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-278208
公開番号（公開出願番号）：特開2008-096684
出願日： 2006年10月12日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であり、一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重合体を含むレジスト下層膜材料。【効果】本発明によれば、多層レジストプロセス用、特には3層レジストプロセス用レジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を得ることができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
IPC (3件)：
G03F 7/11
, G03F 7/075
, C08G 61/00
G03F7/11 503
, G03F7/075
, G03F7/11
, C08G61/00
2H025AA09
, 2H025AA17
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025CA48
, 2H025CB28
, 2H025CB32
, 2H025CC17
, 2H025CC20
, 2H025DA21
, 2H025DA34
, 2H025FA41
, 4J032CA43
, 4J032CA45
, 4J032CB04
, 4J032CC03
, 4J032CD00
, 4J032CE05
, 4J032CF06
, 4J032CG00
