特許
J-GLOBAL ID：200903099659988986
回路パターン形成方法及び該形成方法を用いて回路パターンが形成された回路板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
板谷 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-181667
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019645
出願日： 2003年06月25日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】窒化アルミニウムを基板材として用いた回路パターン形成方法及び該形成方法を用いて回路パターンが形成された回路板において、高エネルギビームの照射による加工部分に信頼の高い絶縁性を実現する。【解決手段】回路パターン形成工程は、窒化アルミニウム基板の準備工程(S1)、その基板を加熱・酸化処理して表面に酸化層を形成する工程(S2)、酸化層の上に導電性薄膜を形成する工程(S3)、高エネルギビームを照射して回路部/非回路部の境界部分の導電性薄膜を除去して回路パターンを形成する工程(S4)を有する。導電性薄膜を除去する加工部分において、高エネルギビームが酸化層を通過しなければ、基板材の窒化アルミニウムまで到達しないので、高エネルギビームによる窒化アルミニウムの分解と導電性物質(アルミニウム)の発生を酸化層で防止できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化アルミニウム基板の表面に導電性薄膜を形成し、その導電性薄膜における回路部と非回路部の少なくとも境界を含む領域に高エネルギビームを照射して導電性薄膜を除去して回路パターンを形成する回路パターン形成方法において、
前記導電性薄膜を形成する工程の前に、窒化アルミニウム基板の表面を酸化処理して酸化層を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする回路パターンの形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5E339AB06
, 5E339BC01
, 5E339BC02
, 5E339BC03
, 5E339BE05
, 5E339DD03
, 5E339EE10
