特許
J-GLOBAL ID：200903099928291466

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
鈴木 伸洋

鈴木 伸洋 について

, 
新田 康一

新田 康一 について

, 
菅原 秀人

菅原 秀人 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-204931
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036616
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】本願発明は、p層でのコンタクト抵抗の低減を目的とする。【解決手段】本願発明にかかる半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合物からなり、所定の波長を有する光を発する活性層と、前記活性層内にキャリアを閉じ込めるためのクラッド層と、前記クラッド層に隣接して設けられたコンタクト層と、前記コンタクト層に所定の電位又は電流を供給する為の電極とを備え、前記クラッド層は、P型の不純物が添加されたGa<SB>1</SB> <SB>x</SB>Al<SB>x</SB>Nからなり、かつ、第一の組成比xは0<x<0. 5なる関係を満たし、前記コンタクト層は、P型の不純物が添加されたGa<SB>1</SB> <SB>y</SB>Al<SB>y</SB>Nからなり、かつ、第二の組成比yは0<y<xなる関係を満たす事を特徴とする。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物からなり、所定の波長を有する光を発する活性層と、前記活性層内にキャリアを閉じ込めるためのクラッド層と、前記クラッド層に隣接して設けられたコンタクト層と、前記コンタクト層に所定の電位又は電流を供給する為の電極と、を備え、前記クラッド層は、P型の不純物が添加されたGa<SB>1</SB> <SB>x</SB>Al<SB>x</SB>Nからなり、かつ、第一の組成比xは0<x<0. 5なる関係を満たし、前記コンタクト層は、P型の不純物が添加されたGa<SB>1</SB> <SB>y</SB>Al<SB>y</SB>Nからなり、かつ、第二の組成比yは0<y<xなる関係を満たす事を特徴とする半導体発光素子。
Fターム (5件)：
5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA58 ,  5F041CA98 ,  5F041CA99
引用特許：
審査官引用 (9件)
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