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J-GLOBAL ID：201002261726691380   整理番号：10A1127500

InGaAs/InAlAsナノスケールIn面構造における負性微分抵抗

Negative Differential Resistance in InGaAs/InAlAs Nanoscale In-Plane Structures

著者 (5件)： KOMATSUZAKI Yuji (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  HIGASHI Kazuhiro (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KYOUGOKU Tomoteru (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ONOMITSU Koji (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  HORIKOSHI Yoshiji (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 10  ページ： 104001.1-104001.5  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体デバイスサイズが50nm以下となり量子効果とリーク電流によって実用的限界に近づいており,新しい原理によるデバイスの開発が必要である。ひとつの概念はIn面ゲート(IPG)デバイス構造である。これまでIPG構造はフォーカスイオン打ち込みと電子ビームリソグラフィーののちウエットエッチングによって作られていたが,イオン打ち込みのダメージやトレンチ形状がV型になりゲート特性が低下していた。本論文では,電子ビームリソグラフィーと電子サイクロトロン共鳴反応性イオンエッチング(ECR-RIE)により製造されたIPGデバイスについて述べる。ECR-RIEはBCl₃ガスを用い,トレンチは40nmを実現した。またエッチ深さは30nmである。IPGデバイスは低温におけるI-V特性から負性微分抵抗(NDR)が観測された。ショートチャンネルIn面ダブルゲート(IPDGT)のNDRオンセット電圧はショートチャンネルIPDGTより小さい。NDRオンセット電圧は温度と共に増加する。ショートチャンネルIPDGTのNDR特性は室温でも観測された。これらの結果からNDR現象は高い移動度チャンネルから低い移動度チャンネルへ電子の実空間輸送が起こっていることによると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  ヒ化物 ,  規模 ,  *負性抵抗 ,  *素子構造 ,  電子ビームリソグラフィー ,  RIE【エッチング】 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： *ヒ化インジウムアルミニウム ,  ナノスケール ,  負性微分抵抗 ,  電子サイクロトロン共鳴 ,  反応性イオンエッチング ,  IPG素子構造

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (25件)：

• D. J. Frank, R. H. Dennard, E. Nowak, P. M. Solomon, Y. Taur, and H. S. P. Wong: Proc. IEEE 89(2001)259.
• A. D. Wieck and K. Ploog: Appl. Phys. Lett.56(1990)928.
• J. Nieder, A. D. Wieck, P. Grambow, H. Lage, D. Heitmann, K. v. Klitzing, and K. Ploog: Appl. Phys. Lett.57(1990)2695.
• A. D. Wieck and K. Ploog: Appl. Phys. Lett.61(1992)1048.
• J. S. McLean, A. D. Wieck, M. Bleder, and K. Ploog: Appl. Phys. Lett.61(1992)1324.

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaAs ,  InAlAs ,  ナノスケール ,  面構造 ,  負性微分抵抗