特許
J-GLOBAL ID：201003001798842008

半導体装置の製造方法

発明者：
中田 健

中田 健 について

, 
八重樫 誠司

八重樫 誠司 について


出願人/特許権者：
住友電工デバイス・イノベーション株式会社

住友電工デバイス・イノベーション株式会社 について


代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-284464
公開番号（公開出願番号）：特開2010-166040
出願日： 2009年12月15日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：
【課題】ゲート絶縁膜の侵食を抑制し、FETの故障や不良の発生を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】基板10上にGaN系半導体層15を形成する工程と、GaN系半導体層15上に酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜18を450°C以下の成膜温度で形成する工程と、ゲート絶縁膜18の上面に保護膜19を形成する工程、ゲート絶縁膜18を熱処理する工程、及びゲート絶縁膜18をプラズマ処理する工程のいずれか一つと、前記いずれか一つの工程の後に、ゲート絶縁膜18を形成する工程の後のアルカリ溶液を用いた処理を実行する工程と、前記ゲート絶縁膜18上にゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
基板上にGaN系半導体層を形成する工程と、 前記GaN系半導体層上に酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜を450°C以下の成膜温度で形成する工程と、 前記ゲート絶縁膜の上面に保護膜を形成する工程と、 前記ゲート絶縁膜の上面が前記保護膜に覆われた状態で、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の後の最初のアルカリ溶液を用いた処理を実行する工程と、 前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (11件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/80 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/316
FI (17件)：
H01L29/80 F ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 V ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J ,  H01L21/316 X ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652J
Fターム (102件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD68 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  5F058BA08 ,  5F058BB01 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF12 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC07 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC21 ,  5F110AA12 ,  5F110BB12 ,  5F110CC01 ,  5F110CC09 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140AC23 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BD01 ,  5F140BD06 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE01 ,  5F140BE02 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BE17 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140CA03 ,  5F140CC08 ,  5F140CE02
引用特許：
審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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