窒化物化合物半導体トランジスタ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松下亮
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-282772
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103408
出願日： 2006年10月17日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】窒化物化合物半導体層のチャネル領域のキャリア移動度を高くし、且つ大きな絶縁破壊電界強度のゲート絶縁膜を有する窒化物化合物半導体トランジスタを提供すること。【解決手段】基板1上に形成された窒化物化合物半導体層3と、窒化物化合物半導体層3上に形成されたシリコン窒化膜6よりなる第1のゲート絶縁膜と、シリコン窒化膜6上に形成され且つシリコン窒化膜7よりも絶縁破壊強度の大きな材料の膜7からなる第2のゲート絶縁膜と、第2のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極8gと、ゲート電極8gの側方で窒化物化合物半導体層5s、5dにオーミック接触するオーミック電極10s,10dを有する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に形成された窒化物化合物半導体層と、前記窒化物化合物半導体層上に形成されたシリコン窒化膜よりなる第1のゲート絶縁膜と、前記シリコン窒化膜上に形成され且つ前記シリコン窒化膜よりも絶縁破壊強度の大きな材料からなる第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の側方で前記窒化物化合物半導体層にオーミック接触するオーミック電極とを有することを特徴とする窒化物化合物半導体トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (4件)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 618B , H01L29/78 617U , H01L29/80 H

Fターム (83件)：

5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102HA05 , 5F102HC01 , 5F110AA01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG04 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110QQ14 , 5F140AA19 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BC12 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD10 , 5F140BD11 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BG02 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG31 , 5F140BH21 , 5F140BH49 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ16 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK39 , 5F140CE02

引用特許：

出願人引用 (2件)

GaN系半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-246113 出願人：古河電気工業株式会社
GaAsやGaNに基づく半導体基体上に酸化物層を含む物品
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-321934 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-032680 出願人：日本電信電話株式会社
GaN系電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-328873 出願人：古河電気工業株式会社
絶縁ゲート型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-124133 出願人：古河電気工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (4件)

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