特許
J-GLOBAL ID：201003005326545056

極端紫外光を用いる半導体露光装置

発明者：
守屋 正人

守屋 正人 について

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若林 理

若林 理 について

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ゲオルグ スマン

ゲオルグ スマン について


出願人/特許権者：
株式会社小松製作所

株式会社小松製作所 について

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ギガフォトン株式会社

ギガフォトン株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人ウィルフォート国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-226548
公開番号（公開出願番号）：特開2010-004002
出願日： 2008年09月04日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：
【課題】本発明の露光装置は、EUV光以外の他の光を取り除き、EUV光のみをマスクに供給することができる。【解決手段】ミラー510の表面には、Mo/Siの多層膜が設けられており、この多層膜にブレーズド溝513が形成される。EUV光源装置1から入射する光203,301は、ミラー510に入射し、反射または回折する。EUV反射光204(EUV回折光を含む)と、他の波長の光302とは、反射角度または回折角度が異なるため、進行方向が異なる。アパーチャやダンパによって他の光302を除去することにより、純度の高いEUV光をマスク600に照射することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
極端紫外光を用いる照明光学系を備える半導体露光装置であって、 前記照明光学系は、前記極端紫外光を反射させるための極端紫外光用ミラーを複数備えており、 前記各極端紫外光用ミラーのうち少なくとも一つの所定の極端紫外光用ミラーは、極端紫外光と他の波長の光とを分離させるものであって、 基板部と、 前記基板部の前記一面側に設けられる基礎部であって、前記基板部の前記一面側に設けられる第1多層膜から形成される基礎部と、 前記基礎部の一面側に一体的に設けられる反射部であって、前記基礎部の前記一面側に設けられる第2多層膜に所定形状の溝を形成することにより生成される反射部と、 を備える、半導体露光装置。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  G02B 19/00 ,  G02B 5/08 ,  G02B 5/10
FI (4件)：
H01L21/30 531A ,  G02B19/00 ,  G02B5/08 A ,  G02B5/10 A
Fターム (14件)：
2H042DA08 ,  2H042DA12 ,  2H042DB01 ,  2H042DB02 ,  2H042DC02 ,  2H042DD04 ,  2H042DE04 ,  2H052BA03 ,  2H052BA09 ,  2H052BA12 ,  5F046CB08 ,  5F046GA03 ,  5F046GB01 ,  5F046GB07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (11件)
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