特許
J-GLOBAL ID：201003012336919457

シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置及び結晶性評価方法

発明者：
清水 博文

清水 博文 について

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池田 正則

池田 正則 について

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高松 弘行

高松 弘行 について

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迫田 尚和

迫田 尚和 について

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尾嶋 太

尾嶋 太 について


出願人/特許権者：
学校法人日本大学

学校法人日本大学 について

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株式会社神戸製鋼所

株式会社神戸製鋼所 について

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株式会社コベルコ科研

株式会社コベルコ科研 について


代理人 (3件)： 小谷 悦司 ,  小谷 昌崇 ,  村松 敏郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-201099
公開番号（公開出願番号）：特開2010-038697
出願日： 2008年08月04日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】試料を破壊することなく、迅速かつ正確にシリコン半導体薄膜の結晶性の評価結果を得ること。【解決手段】基材上に成膜されたシリコン半導体薄膜の結晶性を評価するための装置であって、シリコン半導体薄膜の表面の所定の領域にキャリアを励起させるための励起光14を照射するLED1と、前記所定の領域における表面光電圧を検出してその検出信号を出力する透明電極6と、前記検出信号を処理してシリコン半導体薄膜の結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置11とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基材上に成膜されたシリコン半導体薄膜の結晶性を評価するための装置であって、 前記シリコン半導体薄膜の表面に強度変調された紫外光を照射することにより、前記シリコン半導体薄膜の表面に励起光キャリアを生じさせるための紫外光照射手段と、 前記紫外光の照射により前記シリコン半導体薄膜の表面に生じる表面光電圧の変化を、前記シリコン半導体薄膜の表面に対して間隔をもって配置された電極により検出してその検出信号を出力する電圧検出手段と、 前記シリコン半導体薄膜の結晶性を評価するために前記検出信号を処理する信号処理手段とを備えていることを特徴とするシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置。
IPC (2件)：
G01N 27/00 ,  H01L 21/66
FI (2件)：
G01N27/00 Z ,  H01L21/66 N
Fターム (13件)：
2G060AA09 ,  2G060AE40 ,  2G060AF15 ,  2G060AF20 ,  2G060EA07 ,  2G060EB08 ,  2G060HC13 ,  2G060KA16 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA07 ,  4M106CA17 ,  4M106CB19
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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