特許
J-GLOBAL ID：201003021329504534
炭化珪素単結晶基板の製造方法、及び炭化珪素単結晶基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 鳥野 正司
, 佐々木 一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-106425
公開番号（公開出願番号）：特開2010-254521
出願日： 2009年04月24日
公開日（公表日）： 2010年11月11日
要約：
【課題】本発明は、体積抵抗率が全面積部分に亘って均一な炭化珪素単結晶基板の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素単結晶インゴット成長表面に現れる{0001}ファセット面の面積が大きなインゴットを作製し、そのインゴットを切断・研磨することにより、基板の全面積領域が成長時の{0001}ファセット領域に相当するインゴット部分で構成されるようにする。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶からなる種結晶上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程を包含する昇華再結晶法を用いた炭化珪素単結晶基板の製造方法であり、
種結晶として、結晶成長面が{0001}面から1°未満のオフセット角を有する種結晶基板を用い、また、成長容器として、側壁の厚さが少なくとも35mmの黒鉛製坩堝を用いて、得られる炭化珪素単結晶の体積抵抗率を制御するための不純物を結晶成長雰囲気に添加した状態で結晶成長を行い、炭化珪素単結晶インゴットを得て、
得られた炭化珪素単結晶インゴットを切断及び研磨することで、口径が50mm以上であり、尚且つ、主面が実質的に炭化珪素単結晶インゴット由来の{0001}面ファセットからなる炭化珪素単結晶基板を得ることを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 23/06
, C30B 33/00
C30B29/36 A
, C30B23/06
, C30B33/00
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077AB06
, 4G077AB09
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077EB01
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077EG01
, 4G077EG02
, 4G077FG11
, 4G077FG16
, 4G077FJ06
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA11
