特許
J-GLOBAL ID：201003004757010471
炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 鳥野 正司
, 佐々木 一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-106306
公開番号（公開出願番号）：特開2010-254520
出願日： 2009年04月24日
公開日（公表日）： 2010年11月11日
要約：
【課題】実質的に基板使用面のほぼ全面で、体積電気抵抗率がほぼ均一な炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法を提供する。【解決手段】{0001}ファセット領域が大きなインゴットを作製し、そのインゴットを切断・研磨することにより、少なくともエッジエクスクルージョン領域を除く基板の全領域がインゴットの{0001}ファセット領域に相当する部分で構成される炭化珪素単結晶基板である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶インゴットから切断し、研磨して得られる炭化珪素単結晶基板であって、エッジエクスクルージョン領域を除いた平面領域が、実質的に炭化珪素単結晶インゴット由来の{0001}面ファセット領域からなることを特徴とする炭化珪素単結晶基板。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 23/06
, C30B 33/00
C30B29/36 A
, C30B23/06
, C30B33/00
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077AB06
, 4G077AB09
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077EB01
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077EG01
, 4G077EG02
, 4G077FG11
, 4G077FG16
, 4G077FJ06
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA11
