特許

J-GLOBAL ID：201003044834836339

半導体装置およびその製造方法

発明者： 河村 哲史 ,  内山 博幸 ,  斎藤 慎一 ,  若菜 裕紀 ,  波多野 睦子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-177550
公開番号（公開出願番号）：特開2010-021170
出願日： 2008年07月08日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：

【課題】チャネル層の厚さを10nm程度以下とした酸化物TFTにおいて、チャネル層とソース電極との間やチャネル層とドレイン電極との間のコンタクト抵抗を低減して高速で動作することができる半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物TFTのオフ状態において完全空乏化状態を実現できるように形成する。そして、チャネル層CHNとソース電極STの間にコンタクト層CTSを形成し、チャネル層CHNとドレイン電極DTとの間にコンタクト層CTDを形成する。さらに、ゲート電極GTとチャネル層CHNとの間のゲート絶縁膜容量をCgi、ゲート電極GT以外の構造物とチャネル層CHNとの間の寄生容量の総和をCpとしたとき、Cgiに対するCpの割合Cp/Cgiが0.7よりも小さくなるように形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(a)導電材料からなるゲート電極と、 (b)前記ゲート電極と対向するように配置され、かつ、金属酸化物を使用した半導体層からなるチャネル層と、 (c)前記ゲート電極と前記チャネル層に挟まれたゲート絶縁膜と、 (d)前記チャネル層と電気的に接続されるソース電極およびドレイン電極とを備え、 前記チャネル層中の全キャリア量が前記ゲート電極で制御できるキャリア量よりも小さく、かつ、前記チャネル層の厚さが最大空乏層幅よりも小さい電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、 前記チャネル層と前記ソース電極の間に第1導電層が形成され、かつ、前記チャネル層と前記ドレイン電極の間に第2導電層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 27/00

FI (8件)：

H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 616K ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L27/00 301A

Fターム (73件)：

4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA03 ,  5F110AA07 ,  5F110AA09 ,  5F110BB02 ,  5F110BB05 ,  5F110BB11 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD11 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL14 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM03 ,  5F110NN03 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 固体電子装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-074642   出願人：国立大学法人東京工業大学

審査官引用 (8件)

• 固体電子装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-074642   出願人：国立大学法人東京工業大学
• ZnO半導体薄膜及びZnO薄膜トランジスタの製造方法、並びにその方法を適用したZnO薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-097075   出願人：三星電子株式会社
• アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-206894   出願人：株式会社日立製作所
• 薄膜トランジスタ及びその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-038428   出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-545474   出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• 薄膜トランジスタのために自己ドーピング層を使用してオーム接触部を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-090670   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-208803   出願人：シチズン時計株式会社
• 酸化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-166151   出願人：シャープ株式会社